一种高密度、高导电性ito靶材的制备方法

Abstract

本发明公开一种高密度、高导电性ITO靶材的制备方法,包括以下步骤:用氢氟酸与硝酸混合液将高纯Ge与Bi原料溶解,生产氢氟酸硝酸锗与氢氟酸硝酸铋澄清溶液,分别将上述两溶液与含有尿素的氧化铟与氧化锡溶液混合,保持搅拌,逐步升温至90℃,并恒温1h至沉淀完全为止。用去离子水与有机混合溶剂洗涤至无Cl‑离子存在;干燥,煅烧,即得含铋与锗的ITO粉末;加2%PVA造粒后压制成型,在流动的氧气氛中烧结,得ITO靶材,本发明采用共沉淀方法加入烧结助剂,使其达到原子尺寸的均匀分布,显著地降低烧结温度,促进致密化,同时提高靶材的导电性。

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